삼성전자 HBM4 양산 출하…엔비디아 ‘루빈’ 탑재, 최대 13Gbps 구현

삼성전자가 6세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4’ 양산 출하를 시작했다. 회사는 지난 12일 양산에 돌입했다고 밝혔다.

HBM4는 세계 최대 AI 반도체 기업 엔비디아의 차세대 플랫폼 ‘루빈(Rubin)’에 탑재될 예정이다. 삼성전자는 차세대 HBM 시장 선점을 목표로 본격적인 공급 확대에 나선다.

성능은 국제반도체표준협의회(JEDEC) 기준 8Gbps를 넘어 11.7Gbps 동작 속도를 구현했다. 최대 13Gbps까지 가능하다. 이는 전작 HBM3E(최대 9.6Gbps) 대비 약 1.22배 향상된 수준이다.

메모리 대역폭은 단일 스택 기준 최대 3.3TB/s로, HBM3E 대비 약 2.7배 높다. 주요 고객사 요구치인 3.0TB/s를 상회한다.

용량은 12단 적층 기준 24~36GB를 우선 공급한다. 향후 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 확대할 계획이다.

공정 기술도 고도화했다. 10나노급 6세대 D램 ‘1c’ 공정을 적용하고, 베이스 다이에는 4나노 공정을 도입했다. 저전력 설계를 통해 에너지 효율은 약 40% 개선했다. 열 저항은 10%, 방열 특성은 30% 향상됐다.

삼성전자는 올해 하반기 7세대 ‘HBM4E’ 샘플 출하도 준비 중이다. 회사는 올해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망했다.